半导体晶圆金属离子检测

时间:2022-09-30 14:53点击:

半导体晶圆金属离子检测项目

外观、载流子浓度、电容、表面复合速率、接触电阻、漏电流、击穿、范德堡、垂直通孔接触、扩散系数等。

半导体晶圆金属离子检测.png

半导体晶圆金属离子检测标准

GB/T 33657-2017 纳米技术 晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范

GB/T 35010.5-2018 半导体芯片产品 第5部分:电学仿真要求

IEC 62047-9-2011/Cor 1-2012 勘误表1:半导体器件 微机电设备 第9部分:微机电系统晶圆接合强度检测方法

GB/T 35010.6-2018 半导体芯片产品 第6部分:热仿真要求

GB/T 34177-2017 光刻用石英玻璃晶圆

半导体晶圆金属离子检测方法

1. 将硅片置于 VPD 室中,并暴露于 HF 蒸气中以溶解自然氧化物或热氧化的 SiO2表面层

2. 将提取液滴(通常为 250 μL 的 2% HF/2% H2O2)置于晶圆上,然后以精心控制的方式倾斜,使得液滴在晶圆表面上“扫掠”

3. 随着提取液滴在晶圆表面上移动,它会收集溶解态 SiO2 与所有污染物金属

4. 将提取液滴从晶圆表面上转移*** ICP-MS 或 ICP-MS/MS 系统中进行分析

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微谱寄样检测流程

1、在线咨询、电话沟通或面谈

2、寄送样品,特殊样品可提供上门取样服务

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